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訂 貨 號(hào):SIA537EDJ-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay SIA537EDJ 是 P&N 溝道 MOSFET , P 溝道漏極至源電壓 (VDS) 為 -20V , N 溝道為 12V。柵極到源電壓 (VGS) 8V。它采用 Power PAK SC-70 封裝。它在 4.5VGS 時(shí)提供 0.028 歐姆的漏極至源電阻 (RDS) ,在 2.5VGS 時(shí)提供 0.033 歐姆的漏極至源電阻 (RDS)。對(duì)于 N 溝道和 0.054 歐姆,對(duì)于 P 溝道響應(yīng)為 0.07 歐姆N 溝道的最大漏極電流為 4.5 A , P 溝道的最大漏極電流為 4.5 A。
Trench FET 功率 MOSFET
典型 ESD 保護(hù): N 溝道 2400 V , P 溝道 2000 V
經(jīng)過(guò) 100 % Rg 測(cè)試