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產(chǎn)品分類(lèi)

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Vishay SIA537EDJ-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SIA537EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIA537EDJ-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay SIA537EDJ 是 P&N 溝道 MOSFET , P 溝道漏極至源電壓 (VDS) 為 -20V , N 溝道為 12V。柵極到源電壓 (VGS) 8V。它采用 Power PAK SC-70 封裝。它在 4.5VGS 時(shí)提供 0.028 歐姆的漏極至源電阻 (RDS) ,在 2.5VGS 時(shí)提供 0.033 歐姆的漏極至源電阻 (RDS)。對(duì)于 N 溝道和 0.054 歐姆,對(duì)于 P 溝道響應(yīng)為 0.07 歐姆N 溝道的最大漏極電流為 4.5 A , P 溝道的最大漏極電流為 4.5 A。

Trench FET 功率 MOSFET
典型 ESD 保護(hù): N 溝道 2400 V , P 溝道 2000 V
經(jīng)過(guò) 100 % Rg 測(cè)試


暫無(wú)

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