當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號(hào):SIHB053N60E-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay Siliconix 維護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)的可靠性數(shù)據(jù),封裝可靠性代表所有合格位置的復(fù)合。
第 4 代 E 系列技術(shù)
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
減少切換和傳導(dǎo)損耗
雪崩能量等級(jí) (UIS)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 47 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類(lèi)型 | TO-263 |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.054 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |