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訂 貨 號(hào):SiZ250DT-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay SiZ250DT T1 60V 是雙 n 溝道 GE3 ( d-s )高電阻器。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
經(jīng)過(guò) 100 % Rg 和 UIS 測(cè)試
優(yōu)化的 qgs/qgs 比可提高切換性能
特點(diǎn)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 38 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | Powerpir 3 x 3FDC |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0122 Ω 、 0.0127 Ω 、 0.01811 Ω 、 0.01887 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |