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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SiZ350DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
高側(cè)和低側(cè) MOSFET 形成優(yōu)化的
組合，可實(shí)現(xiàn) 50% 占空比
經(jīng)優(yōu)化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 提高了
高頻切換的效率
應(yīng)用
同步降壓
直流/直流轉(zhuǎn)換
半橋
POL


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 PowerPAIR 3 x 3
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.4V
最大功率耗散 16.7 W
最大柵源電壓 -12 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 2
長(zhǎng)度 3mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3mm
暫無(wú)

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