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onsemi FCH125N65S3R0-F155 MOSFET

訂 貨 號：FCH125N65S3R0-F155      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi FCH125N65S3R0-F155 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問題，更易于設計實施。

TJ = 150 oC 時為 700 V
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 439 pF）
超低柵極電荷（典型 Qg = 46 nC）
優(yōu)化的電容
典型 RDS（接通）= 105 m?
內部柵極電阻：0.5 Ω
優(yōu)點：
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應用：
計算
消費品
工業(yè)
最終產(chǎn)品：
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務器
UPS/太陽能
LED 照明/鎮(zhèn)流器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 24 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 181 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.82mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 46 nC @ 10 V
長度 15.87mm
暫無

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