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產(chǎn)品分類

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onsemi FCH023N65S3L4 MOSFET

訂 貨 號:FCH023N65S3L4      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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onsemi FCH023N65S3L4 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的切換性能,并能承受極端的 dv/dt 速率。因此,SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 時為 700 V
低溫運(yùn)行時系統(tǒng)可靠性更高
超低柵極電荷(典型 Qg = 78 nC)
低切換損耗
低有效輸出電容(典型 Coss(eff.) = 715 pF)
低切換損耗
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS(接通)= 62 m?
波焊保證
計算
電信
工業(yè)
電信/服務(wù)器
太陽能逆變器 / UPS
EVC


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 75 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247 A04
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 23 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 595 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
寬度 5.2mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 222 nC @ 10 V
長度 15.8mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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