the Infineon ex場 功率 mosfet 利用最新的處理技術，在每個硅片區域實現極低的接通電阻。此設計的其他特點包括 175°c 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。
先進的工藝技術
超低接通電阻 1.
75°c 工作溫度
快速切換 r
重復雪崩允許高達 tjmax l
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| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 119 a |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 5.5 個月 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
