為了提高效率、功率密度和成本效益、開發(fā)了英飛凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半導(dǎo)體器件。專為高性能應(yīng)用而設(shè)計、并針對高切換頻率進(jìn)行了優(yōu)化、因此、這些產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最佳的品質(zhì)。現(xiàn)在、作為強(qiáng)大的 irfet 的補(bǔ)充、該產(chǎn)品組合提供了一個真正強(qiáng)大的組合。得益于強(qiáng)大的 irfet 功率極高的器件和出色的性價比以及杰出的最佳的技術(shù)。兩個產(chǎn)品系列都能滿足高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)和性能要求。該接合產(chǎn)品組合涵蓋 12V 至 300V 的電壓、可滿足從低到高切換頻率的各種需求、如開關(guān)電源、電池供電應(yīng)用、電動機(jī)控制和驅(qū)動器、變頻器和計算。
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
4.5V VGS 時低 RDS(接通)
完全雪崩電壓和電流特征
超低柵極阻抗
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 86 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0065 o |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |