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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設(shè)備產(chǎn)品

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Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG MOSFET

訂 貨 號：TSM120N06LCS RLG      品牌：LG

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Taiwan Semiconductor 30V ， 55A ， 8 引腳 N 通道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強型通道模式。它通常用于 BLDC 電動機控制和電池電源管理等應(yīng)用。

低 RDS (接通) 至有效減少 導(dǎo)電損耗
邏輯電平
低柵極電荷，用于快速電源切換
經(jīng)過 100% UIS 和 RG 測試
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 WEEE 2002/96/EC
無鹵素，符合 IEC 61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
40W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍介于 1.2V-2.5V 之間


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 23 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 15 MΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 12.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 3.9mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V、37 nC @ 10 V
長度 4.85mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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