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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi EFC4K110NUZTDG MOSFET

訂 貨 號(hào)：EFC4K110NUZTDG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi EFC4K110NUZTDG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

EFC4K110NUZTDG 具有超低接通電阻?m 2 狀態(tài)和高電流，采用小型和 CSP 封裝。它最適用于 1?2 節(jié)鋰離子電池保護(hù)電路。

低 rss （開）
小尺寸和窄寬度
無閂鎖現(xiàn)象
低柵極電荷
2kV esd hbm
常見漏極類型
esd 二極管保護(hù)柵極
低功耗
它可安裝在窄寬度和小面積板上
異常高電壓輸入時(shí)具有高耐用性
驅(qū)動(dòng)簡單 Faster
應(yīng)用
電池保護(hù)電路中的 1?2 節(jié)鋰離子電池充電和放電開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
封裝類型 WLCSP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 10
通道模式 消耗
最大柵閾值電壓 1.3V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±12 V
典型柵極電荷@Vgs 49 nc @ 4.5 v nc
寬度 2.13mm
最高工作溫度 +150 °C
長度 3.23mm
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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