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Vishay SI7478DP 是 N 通道 MOSFET ，具有 60V 的漏極到源電壓 (VDS) 和 20V 的柵極到源電壓 (VGS)。它采用 Power PAK SO-8 封裝。它在 10VGS 時提供 0.0075 Ω 的漏極到源電阻 (RDS) ，在 4.5VGS 時提供 0.0088 Ω 的電阻。最大漏極電流 20A。

Trench FET 功率 MOSFET
全新低熱阻功率 PAK 封裝，薄型 1.07 mm
經過 100 % Rg 測試