on ON Semiconductor 是高性能 mosfet 系列產(chǎn)品、提供 800 v 擊穿電壓。它經(jīng)過優(yōu)化可用于回飛轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)、可實現(xiàn)更低的切換損耗和外殼溫度、而不會影響 emi 性能。
esd 改進(jìn)功能、帶齊納二極管
符合 RoHS
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.45. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |