STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進(jìn) Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。
最大接點(diǎn)溫度: tj = 175 °c
低 vce ( sat ) = 1.65 v (典型值) @ ic = 20 a
非常快速且軟恢復(fù)的共封二極管
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻