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此單 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設計，可優化特殊 MicroFET 引線框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。

RDS (on) =40 M Ω @VGS =4.5 V ， ID =5.0A
RDS (on) =50 M Ω @VGS =2.5 V ，識別號 =4.5 A
薄型 - 最大 0.8 mm - 在新包裝中，話筒 2 x 2 mm
HBM ESD 保護級別> 2.5K V （典型）（注釋 3 ）
無鹵化合物和銻氧化物
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。