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Infineon IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號：IMW65R027M1HXKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 3 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術利用了碳化硅的強大物理特性，增加了獨特的功能，可提高設備的性能，堅固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進的溝道半導體構建，經(jīng)過優(yōu)化可在應用中實現(xiàn)最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。

低電容
優(yōu)化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅動程序一起使用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 47 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-TO247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.034 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5.7V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 硅
暫無
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