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Infineon IPD78CN10NGBUMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPD78CN10NGBUMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價(jià)：￥10.00          品 牌 商：￥10.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon IPD78CN10NGBUMA1 MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息


Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行業(yè)最低電壓接地電阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多應(yīng)用，包括高頻電信、數(shù)據(jù)通信、太陽能、低電壓驅(qū)動器和服務(wù)器電源。 OptiMOS 2 產(chǎn)品系列具有 20V 及以上范圍，且提供不同的封裝類型可供選擇。
                         




MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。



屬性數(shù)值
通道類型N
最大連續(xù)漏極電流13 A
最大漏源電壓100 V
封裝類型PG-TO-252
安裝類型表面貼裝
引腳數(shù)目3
最大漏源電阻值80 mΩ
通道模式增強(qiáng)
最大柵閾值電壓4V
最小柵閾值電壓2V
最大功率耗散31 W
晶體管配置單
最大柵源電壓-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目1
最高工作溫度+175 °C
晶體管材料Si
寬度6.22mm
典型柵極電荷@Vgs8 nC @ 10 V
長度6.73mm
暫無
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