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一、常用的靜態RAM芯片

如今，常用的SRAM芯片有6116（）、6264（8K×8）、62128（16K×8）、62256（32K×8）等。

1．6116

6116芯片為24引腳雙列直插封裝，容量為2K×8位。如圖1。其管腳圖見3（a）。其間A0~A10為地址線，為寫選通訊號，D0~D7為數據線，Vcc標明電源（十5V），是片選信號，低電平有用，GND接地，為數據輸出容許信號。

圖1 6116芯片

圖2 6116和6264的引腳圖

2．6264

6264是8K×8位的靜態RAM，它選用CMOS技能制作，單一+5V供電，額外功耗200mW，典型讀取時刻200ns，封裝辦法為DIP28，其管腳圖如圖2（b）所示。其間A0～A12為地址輸入線，D0～D7為三態雙向數據線，是片選信號輸入線，低電平有用，是讀選通訊號輸入線，低電平有用，是寫選通訊號輸入線，低電平有用。

二、數據存儲器拓寬舉例

拓寬數據存儲器和拓寬程序存儲器的辦法類似，由P2口供應高8位地址，P0口分時供應低8位地址和8位數據總線。拜訪片外數據存儲器的指令有：

MOVX A，@Ri

MOVX A，@DPTR

MOVX @Ri，A

MOVX @DPTR，A

例剖析下面電路圖中2塊6264芯片的根柢地址計劃。

圖3 用2片RAM6264的拓寬電路

解：此電路圖是由2塊6264芯片，在片外拓寬16K個單元數據存儲器的拓寬電路。接P1.7引腳來進行片選。6264(1)和6264(2)的編址都是8KB，根柢地址計劃都自0000H到1FFFH（假定未用地址線取0），因為它們所接的地址完全相同。

2764A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A0

最高地址 XX  X 0 0  0  0 0  0 0  0 0  0 000

最低地址 XX  X  1  1  1 1 1  1 1  1 1  1 111

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本文標題：單片機數據存儲器的拓寬

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