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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
存儲(chǔ)器

PowerLab 筆記: DDR 存儲(chǔ)器無處不在!

發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:113

作者:Robert Taylor1  德州儀器

雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱;它通常縮寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中,我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫了一個(gè)紅圈。隨著設(shè)備日益縮小,已經(jīng)沒有空間或沒有必要安裝這些完整的模塊了,因此,可能只需要在設(shè)備的主電路板上直接安放一個(gè)或多個(gè)這樣的芯片。


大多數(shù)人很可能沒有意識(shí)到他們擁有多少帶 DDR 存儲(chǔ)器的產(chǎn)品或設(shè)備。一些帶 DDR 存儲(chǔ)器的設(shè)備實(shí)例包括:服務(wù)器、PC、平板電腦、智能手機(jī)、GPS、汽車導(dǎo)航、電視、AV 接收器、電子閱讀器、IP 電話以及數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等。由于 DDR 用處如此廣泛,因此應(yīng)用和要求也會(huì)變化多端。


 

DDR 芯片需要 2 伏電源。VDDQ 和 VTT 是兩種電源軌的名稱。VTT 電壓需要跟蹤一半的 VDDQ 電壓。此外,VTT 還需要能夠源出/吸入電流。VDDQ 通常是開關(guān)電源,而 VTT 則可以是開關(guān)電源,也可以是線性穩(wěn)壓器。如果將線性穩(wěn)壓器用作 VTT,那就必須采用能滿足源出及吸入電流要求的特別設(shè)計(jì)類型。Robert Kollman 撰寫了一篇非常好的電源技巧文章,更加詳盡地介紹了電源需求的由來。這些電源的電壓規(guī)范取決于 DDR 芯片類型。目前廣泛使用的 DDR 類型有四種(DDR4 即將推出):

  1. DDR1:VDDQ = 2.5V、VTT = 1.25V;

  2. DDR2:VDDQ = 1.8V、VTT = 0.9V;

  3. DDR3:VDDQ = 1.5V、VTT = 0.75V;

  4. DDR3LV:VDDQ = 1.35V、VTT = 0.675V。

由于最終產(chǎn)品的范圍廣泛,因此電源電流有很大不同。服務(wù)器的存儲(chǔ)器電源可能使用大量的模塊并要求 100A 或更大的電流。手機(jī)或平板電腦可能需要 1 或 2 個(gè)芯片,而且只需要電流額定值為 1A 至 4A 的電源。PowerLab 具有很多專門針對 DDR 的設(shè)計(jì),下面列舉了幾款:

PMP6807:使用 TPS51216 的 3-4.2Vin、4A 1.35Vout (VDDQ)、0.5A 0.675Vout (VTT) DDR3 LVPMP6807 參考設(shè)計(jì)使用 TPS51216 生成低電壓 DRR3 電源。VDDQ 電源為 1.35V,支持 4A 電流。VTT 電源使用源出/吸入 LDO 生成,支持 0.5A 電流。此外,該設(shè)計(jì)還可充分利用高性能小型 MOSFET (CSD17313Q2) 為大部分負(fù)載范圍實(shí)現(xiàn) 90% 以上的效率;

PMP6807:使用 TPS51116 的 12Vin、9A 1.5Vout (VDDQ)、3A 0.75Vout (VTT) DDR3PMP5225 參考設(shè)計(jì)使用 TPS51116 生成 DDR3 電源軌。VDDQ 電源為 1.5V,輸出 9A 電流。VTT 電源使用源出/吸入 LDO 生成,支持高達(dá) 3A 的電流。采用 3x3 毫米封裝的高效率 MOSFET(CSD16406Q3) 可用于實(shí)現(xiàn)小尺寸和高性能;

PMP6807:使用 TPS40140 的 12Vin、80A 1.5V(僅 VDDQ)、DDR3 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器PMP3054 設(shè)計(jì)在四相位同步降壓轉(zhuǎn)換器中使用 2 x TPS40140 在 12V 輸入下生成 80A 1.5V 輸出。該設(shè)計(jì)工作頻率為 400KHz,可保持小尺寸;

PMP6807:使用 TPS40180 的 12Vin、60A 1.8V(僅 VDDQ)、DDR2 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器PMP3060 設(shè)計(jì)在 3 相位同步降壓轉(zhuǎn)換器中使用 3 x TPS40180 在 12V 輸入下生成 60A 1.8V 輸出。該設(shè)計(jì)每相位工作頻率為 250KHz,可保持高效率。

 

原文請參見: http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2014/03/01/powerlab-notes-ddr-memory-is-everywhere.aspx

 

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